2019. Q2 Hynix će proizvesti 10nm procesnu memoriju druge generacije

  SK hynix je nedavno objavio da će tvrtka povećati svoju prvu generaciju 10 nanometarskog proizvodnog procesa (tj. 1X nm) proizvodnje DRAM-a, te će početi prodavati svoju drugu generaciju 10 nanometarske tehnologije proizvodnje (također poznatu kao 1Y nm) u drugoj polovici godina. Memorija. Ubrzanje prijelaza na 10nm tehnologiju omogućit će tvrtki da poveća izlaz DRAM-a, što će u konačnici smanjiti troškove i pripremiti se za memoriju sljedeće generacije.

Prvi proizvodi proizvedeni korištenjem SK Hynix 1Y nm proizvodne tehnologije bit će 8Gb DDR4-3200 memorijski čip. Proizvođač kaže da može smanjiti veličinu čipova 8Gb DDR4 uređaja za 20% i smanjiti potrošnju energije za 15% u usporedbi sa sličnim uređajima proizvedenim pomoću 1X nm proizvodne tehnologije. Osim toga, SK hynixov nadolazeći 8Gb DDR4-3200 čip ima dva važna poboljšanja: 4-faznu shemu mjerenja i Sense tehnologiju pojačala.

Iako su ove tehnologije važne čak i za DDR4 ove godine, rečeno je da će SK hynix koristiti svoj 1Y nm proizvodni proces za proizvodnju DDR5, LPDDR5 i GDDR6 DRAM. Stoga Hynix mora što je prije moguće nadograditi svoju proizvodnu tehnologiju druge generacije od 10 nanometara kako bi se pripremio za budućnost.