SK hynix sljedeće godine planira masovno proizvoditi ultrabrzi DRAM koji se može koristiti za AI i super proračun.

Prema BusinessKorea, SK hynix objavio je 12. kolovoza da je razvio HBM2EDRAM, memorijski poluvodič velike propusnosti koji se može koristiti u uređajima umjetne inteligencije (AI) i superračunalima.

Tvrtka je navela da njen novi čip ima najbržu brzinu u industriji. HBM2E podržava više od 460 GB propusnog opsega u sekundi, temeljeno na brzini od 3.6 Gbps po pinu i 1.024 podataka I / Os, što je 50% više u odnosu na HBM2DRAM tvrtke razvijen prije godinu dana.

Krajem prosinca 2013. godine SK hynix razvio je prvi svjetski HBM (veliku propusnu memoriju) s četiri stupnja slaganja DRAM-a.

Podrazumijeva se da je SK hynix razvio memorijski paket od 16 GB vertikalnim slaganjem osam 16Gb čipova koristeći "kroz silicij preko"; (TSV) tehnologija. SK hynix započinje masovnu proizvodnju novih čipova 2020. godine. Novi memorijski proizvodi koriste se prije svega za grafičke kartice, superračunala, AI-ove i servere za koje je potrebna velika brzina, memorija visokih performansi.

SK hynix planira preuzeti vodeće mjesto na tržištu sljedeće generacije memorijskih poluvodiča s HBM2EDRAM-om. Njegova prodaja DRAM-a u drugom tromjesečju iznosila je 4,26 milijardi dolara, što je činilo 28,7% globalnog tržišta.

"Od izlaska prvog HBMDRAM-a na svijetu 2013. godine, SK hynixom dominira tehnološka konkurentnost", rekao je JeonJun-hyun, koji je odgovoran za poslovnu strategiju tvrtke HBM. „Pokrenut ćemo masovnu proizvodnju HBM2E sljedeće godine i nastavit ćemo jačati našu prisutnost. Tehničke prednosti na tržištu. "